11月8日，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了全新的CoolMOS? PFD7高壓MOSFET系列，為950V 超結（SJ）技術樹立了新的行業標準，滿足當今市場對產品小型化、高能效的需求。全新950V系列具有出色的性能和易用性，采用集成的快速體二極管，可確保器件的穩健性，同時降低了BOM（材料清單）成本。該產品專為超高功率密度和超高效率的產品設計量身打造，主要用于照明系統以及消費和工業領域的開關電源（SMPS）應用。

新產品系列適用于反激式、PFC和LLC/LCC設計，包括使電源換向變得穩定而可靠的半橋或全橋配置。通過集成具有超低反向恢復電荷（Qrr）的超快速體二極管，該系列產品實現了硬換向的穩健性和可靠性，并成為該電壓級別中更穩健的超結 MOSFET，可適用于目標應用中的所有拓撲結構。此外，開關損耗（EOSS、QOSS和Qg）的大幅降低也提高了硬開關和軟開關應用的使用效率，與900V CoolMOS C3 超結 MOSFET相比，MOSFET溫度最高可降低4開爾文。相較以前，新產品更為綠色環保，其輕載和滿載PFC效率提高了0.2%以上，同時可滿足LLC效率要求。

新產品系列降低了各種采用SMD封裝和THD封裝的器件的導通電阻（RDS(on)）值，最高可降低55%，例如DPAK封裝中器件的導通電阻值為450 mΩ或TO247封裝中器件的導通電阻值為60 mΩ。設計人員可通過減小封裝尺寸、大幅提高功率密度并節省電路板空間，降低BOM成本和生產成本。其柵極-源極閾值電壓（V(GS),th）為3V，V(GS),th最低變化范圍為±0.5V，可方便新器件的設計導入和驅動，提高了設計自由度；利用低閾值電壓和容差可避免使用MOSFET線性模式，降低了驅動電壓和閑置損耗。另外，與CoolMOS C3相比，新產品系列的柵極電荷改善了60%，大大降低了驅動損耗，而且能夠達到人體放電模型（HBM）（2級靜電放電敏感度）標準，保證了靜電放電（ESD）的穩健性，進而減少了與ESD有關的設備故障，提高了產量。

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