80. 定義：規模大、行業多、技術高、成本低

半導體材料處于產業鏈上游，支撐制造和封裝測試，一代技術依賴于一代工藝，一代工藝依賴一代材料和設備來實現，具有產業規模大、細分行業多、技術門檻高、成本占比低等特點

半導體材料是半導體產業鏈中細分領域最多的產業鏈環節，細分子行業多達上百個，技術門檻一般要高于其他電子及制造領域相關材料，其具備純度要求高、工藝復雜等特征，由于細分材料子行業眾多，導致了單個細分材料往往在半導體生產成本中占比較低，導致了半導體材料國產替代的進展要遠低于面板以及消費電子相關領域

81. 市場規模：全球 3600 億，中國大陸 600 億

2018 年全球半導體材料市場 519 億美元，創歷史最高

2018年，中國臺灣消耗了 114 億美金的半導體材料，連續 9 年成為全球最大半導體材料消費地區，韓國排名第二 87.2 億美金，中國大陸排名第三 84.4 億美金，Top3 合計超過一半

82. 分類：制造材料、封裝材料

半導體材料可分為制造材料和封裝材料

2018 年制造材料和封裝材料的銷售額分別為 322 億美元和197 億美元

二十五、晶圓材料

83. 分類：硅片、氣體、光掩膜、光刻膠四大

制造材料可以分為以下幾類：晶圓材料（硅片），靶材，CMP 拋光材料、光刻膠、高純試劑、電子特種氣體、光掩膜等，硅片、光掩模、光刻膠、氣體四種材料占整體比例 2/3 以上

由于晶圓材料內容較多，我們單列出來介紹

84. 晶圓材料：三代

半導體經過近百年的發展后，形成了三代半導體晶圓材料

第一代半導體材料主要是指硅、鍺元素等單質半導體材料

第二代半導體材料主要是指二元/三元化合物半導體材料，如砷化鎵(GaAs)、銻化銦（InSb）、GaAsAl、GaAsP 等

第三代半導體材料主要以碳化硅(SiC) 、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導體材料

各種半導體材料形成互補關系，Si 適用于數字邏輯芯片、存儲芯片等，GaN、GaAs、InP 適用于高頻領域，SiC 適用于高壓領域

85. 第一代：元素半導體

第一代半導體是“元素半導體”

20 世紀 50 年代半導體材料以鍺為主，基爾比開發出了基于鍺的集成電路，鍺可用于低壓、低頻、中功率晶體管及光探測電路中，缺點是耐輻射和耐高溫性能很差

20 世紀 60 年代硅取代鍺成為新的半導體材料，硅絕緣性好，提純簡單，主要用于數據運算領域，全球 90% 以上的半導體芯片和器件是用硅片作為基礎，硅片詳細介紹請見3. 半導體全面分析（三）：制造三大工藝，硅片五大巨頭！

86. 第二代：化合物半導體

化合物半導體是指兩種或兩種以上元素形成的半導體材料，按照元素數量可以分為二元化合物、三元化合物、四元化合物等等，二元化合物半導體按照組成元素在化學元素周期表中的位置還可分為III-V 族、IV-IV 族、II-VI族等

化合物半導體的電子遷移率較硅半導體快許多，因此適用于高頻傳輸，在無線電通訊如手機、基地臺、無線區域網絡、衛星通訊、衛星定位等皆有應用

化合物半導體具有直接帶隙，這是和硅半導體所不同的，因此化合物半導體可適用發光領域，如發光二極管(LED)、激光二極管(LD)、光接收器(PIN)及太陽能電池等產品，可用于制造超高速集成電路、微波器件、激光器、光電以及抗輻射、耐高溫等器件，對國防、航天和高技術研究具有重要意義

化合物半導體的制備與硅半導體的制備工藝類似，其主要不同體現在晶圓的制造上，硅半導體采用直拉法生長成單晶硅棒對單晶硅棒進行切割制成晶圓，而化合物半導體則是在GaAs、InP、GaP、藍寶石、SiC等化合物基板上采用金屬有機化合物化學氣相沉淀（MOCVD）等方法形成厚度一般為0.05毫米至0.2毫米的薄膜（外延層）對其繼續加工便可實現特定的器件功能

第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）為代表，用于制作高速、高頻、大功率及發光電子器件，主要用于通信領域

GaAs砷化鎵

GaAs 主要用于高功率領域，應用于手機電話、無線局域網絡、光纖通訊、衛星通訊、衛星定位等領域

砷化鎵全球市場規模100 億美元，但逐步被 GaN 替代

砷化鎵產業鏈包括設計、襯底、外延、制造、封測、器件等

GaAs 襯底：日本住友電工、德國弗萊貝格Freiberg、美國 AXT等

GaAs 外延：英國 IQE、臺灣全新光電VPEC、日本住友化學、美國英特磊IntelliEPI等

代工：臺灣穩懋半導體 2017 年市占率 72.7%，全球第一大

器件：2018 年全球 88.7 億美元，前四大廠商占比達到73.4%，分別為Skyworks（32.3%）、Qorvo（26%）、Broadcom（9.1%）、穩懋半導體（6%），詳細介紹請持續關注本公眾號“史晨星”（shichenxing1）

中國大慶佳昌、中科晶電、云南鑫耀、廊坊國瑞、天津晶明、新鄉神州、揚州中顯、中科嫁英、海威華芯、有研新材等

InP磷化銦

InP 襯底是數據通信收發器不可或缺的材料，2018 年拋光片和外延片市場7700 萬美元，主流尺寸2-6英寸

80% 的襯底市場份額由日本住友電工和美國AXT兩家公司占有，國內包括中國電科13所、鼎泰芯源、北京世紀金光、云南鍺業、廣東天鼎思科、廣東先導、深圳泛美、南京金美鎵業等

86. 第三代：寬禁帶半導體

第三代半導體材料又被稱為寬禁帶高溫半導體材料，主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）等，優點是禁帶寬度大（>2.2ev）、擊穿電場高、熱導率高、抗輻射能力強、發光效率高、頻率高，不會產生砷化鎵（GaAs）、鎵離子、銦離子等污染物，常用于高溫、高頻、抗輻射及大功率器件

GaN氮化鎵

GaN 氮化鎵是1928 年由Jonason 等人合成的一種Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料，高熔點 1700℃，高電離度 0.5，寬帶隙Eg=3.4 eV、導熱率高、化學性能穩定（幾乎不被任何酸腐蝕）等特點，晶體一般是六方纖鋅礦結構，主要應用于光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件

一片2英寸的氮化鎵晶片可以生產出1萬盞亮度為節能燈10倍、發光效率為節能燈3-4倍、壽命為節能燈10倍的高亮度LED照明燈，可以制造出5,000個平均售價在100美元以上的藍光激光器

氮化鎵器件GaN 器件的功率密度是砷化鎵（GaAs）器件的十倍，工作電壓高五倍，電流高兩倍，可以在1~110GHz 范圍的高頻波段應用，這覆蓋了移動通信、無線網絡、點到點和點到多點微波通信、雷達應用等波段

2018 年全球氮化鎵功率器件市場規模約4 億美元，2023 年將達到 13 億美元

制備：外延生長－器件隔離－歐姆接觸（制作源極、漏極）－氮化物鈍化－柵極制作－場板制作－襯底減薄－襯底通孔等環節

GaN 產業鏈：設計、襯底、外延片、制造、封裝、器件等

外延分為GaN－on－Si、GaN－on－SiC、GaN－on－sapphire、GaN－on－GaN 四種

GaN－on－Si：目前行業生產良率較低，但是在降低成本方面有著巨大的潛力，主要用于制造電力電子器件，技術趨勢是優化大尺寸外延技術

GaN－on－SiC：結合了 SiC 優異的導熱性和的GaN 高功率密度和低損耗的能力，是 RF 的合適材料，主要用于制造微波射頻器件

GaN－on－sapphire：主要應用在LED 市場，藍寶石襯底 GaN LED 芯片市場占有率達到 90％以上

GaN－on－GaN：同質襯底主要應用市場是藍／綠光激光器，應用于激光顯示、激光存儲、激光照明等領域

制造：美國環宇通訊半導體（GCS）、穩懋半導體、日本富士通、Cree、臺灣嘉晶電子、臺積電、歐洲聯合微波半導體公司（UMS），中國三安集成、海威華芯等

IDM 獨立設計生產供應商：住友電工和 Cree 是行業的龍頭企業，市場占有率均超過 30％，其次為 Qorvo 和MACOM，中國蘇州能訊、英諾賽科、江蘇能華等，詳細介紹請持續關注本公眾號“史晨星”（shichenxing1）

SiC 碳化硅

SiC 碳化硅是第三代半導體材料代表之一，是C元素和Si元素形成的化合物，具有熱導率高（比硅高 3 倍）、與GaN 晶格失配小（4% ）等優勢

四大優勢：高壓、高頻、高溫、壽命

2017 年全球市場規模 4 億美元，2023 預計 16.44 億美元，年復合增長率 26.6%

主要領域有智能電網、軌道交通、電動汽車、新能源并網、通訊電源等，4H-SiC 適用于微電子領域，通常用于高頻、高溫、大功率器件，6H-SiC 適用于光電子領域

碳化硅升華熔點2700度，且沒有液態，只有固態和氣態，主要為Lely 改良法，有三種技術路線，物理氣相運輸法（PVT）、溶液轉移法（LPE）、高溫化學氣相沉積法（HT-CVD），但效率極其緩慢，最快也僅每小時0.1-0.2mm的生長速度，因此長幾天幾夜也就幾厘米

PVT 類似鍋蓋上的水蒸氣凝結過程，加熱碳化硅粉體，然后利用溫度梯度差，在頂部凝結生長晶體

產業鏈：設計、襯底、外延片、制造、封裝、器件等

襯底：美國科銳Cree、II-VI、Dow Dcorning，日本羅姆 Rohm、Stell 等，中國山東天岳、天科合達、河北同光、北京世紀金光、中科節能、中電科裝備等

外延：美國科銳Cree、日本羅姆Rohm、中國廈門瀚天天成、東莞天域等

器件：美國科銳Cree、日本羅姆Rohm、三菱、德國英飛凌、ST意法半導體等，中國泰科天潤、瀚薪、揚杰、科能芯等，詳細介紹請持續關注本公眾號“史晨星”（shichenxing1）

二十六 、 制造材料

87. 分類：氣體、光掩膜、光刻膠三大

除晶圓材料外，制造材料可以分為以下幾類：靶材，CMP 拋光材料、光刻膠、高純試劑、電子特種氣體、光掩膜等，硅片、氣體、光掩模和光刻膠四種材料占整體比例 67% 以上

下面一一介紹

88. 光刻膠：美日壟斷

光刻膠由感光樹脂、增感劑、溶劑三種主要成份組成、對光敏感的混合液體。利用光化學反應，經曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上的圖形轉移介質

應用分類：PCB 印制電路板光刻膠、LCD液晶顯示器光刻膠、半導體光刻膠三大類

全球市場規模40 億美元，中國 50 億元

在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉移到襯底上，形成與掩膜版完全對應的幾何圖形，技術分類：正性、負性

技術路線：紫外寬譜300-450nm→G線436nm→i線365nm→KrF248nm→ArF193nm→EUV13.5nm

全球日本JSR合成橡膠、東京應化、住友化學、富士電子Fujifilm、信越化學、美國羅門哈斯、韓國東進等

中國北京科華、蘇州瑞紅、濰坊星泰克、南大光電、容大感光、上海新陽等

89. 掩膜版 Photomask：臺積電、三星、英特爾壟斷

掩膜版在集成電路行業中的作用就像照相行業中的膠卷底片，主要負責圖形“底片”的轉移，即用光刻機在原材料上刻出相應的圖形，整個光刻過程主要通過透光與非透光的方式進行圖像復制

全球市場規模 35 億美元，中國 60 億元

掩膜版是布滿IC電路圖像的鉻金屬薄膜石英玻璃片，石英玻璃作為襯底，在其上面鍍上一層金屬鉻和感光膠，成為一種感光材料，把已設計好的電路圖形通過電子激光設備曝光在感光膠上，被曝光的區域會被顯影出來，在金屬鉻上形成電路圖形，成為類似曝光后的底片的光掩模版，然后應用于對集成電路進行投影定位，通過集成電路光刻機對所投影的電路進行光刻

英特爾、三星、臺積電三家全球最先進的芯片制造廠，其所用的掩膜版大部分由自己的專業工廠生產，非先進制程掩膜版外包趨勢明顯，全球美國福尼克斯 Photronic、日本 DNP 、日本凸版印刷 Toppan、臺灣光罩、SK-Electronics等

中國分為 3 類

第一類是科研院所，包括中科院微電子中心，中國電科13所、24所、47所、55所等

第二類是獨立的掩膜版制造廠商，主要有無錫迪思微電子、無錫中微，路維光電、深圳清溢光電等

第三類是芯片廠配套的掩膜廠，以中芯國際掩膜廠為代表

90. 電子特氣：110 余種氣體

在集成電路制造中使用 110 余種氣體，約占全部生產材料的三分之一，氣體的純度、潔凈度直接影響到電子元器件的質量、集成度、特定技術指標和成品率，并從根本上制約著電路和器件的精確性和準確性

全球市場規模 45 億美元，中國 20 億美元

提純：低溫精餾、膜分離、吸附分離三大技術，達到 4N 99.99%~5N以上

檢測：ppm 級→ppt 級，離線分析→在線分析(on-line)→原位分析(insitu)

儲運：負壓氣瓶技術

全球美國空氣化工、普萊克斯、德國林德集團、法國液化空氣、日本大陽日酸株式會社等

中國廣東華特、蘇州金宏、中船重工718所、江蘇南大光電、天津綠菱、江蘇雅克等

91. 化學品 Chemicals：超凈高純試劑、功能性材料

濕電子化學品指為微電子、光電子濕法工藝（主要包括濕法刻蝕、清洗、顯影、互聯等）制程中使用的各種電子化工材料，主要用于清洗顆粒、有機殘留物、金屬離子、自然氧化層等污染物，通過蝕刻液與特定薄膜材料發生化學反應，從而除去光刻膠未覆蓋區域的薄膜等

按用途可分為通用化學品（超凈高純試劑）和功能性化學品（以光刻膠配套試劑為代表）

全球濕電子化學品市場規模 50 億美元，中國 80 億元

濕電子化學品雜質含量標準 SEMI 國際標準分為五個等級，集成電路用超高純試劑集中在 G3、G4、G5 水平

濕電子化學品關鍵生產技術包括混配、分離、純化、分析檢驗、環境處理與監測等

全球德國巴斯夫，美國Ashland亞什蘭化學、Arch化學，日本關東化學、三菱化學、京都化工、住友化學，臺灣聯仕、鑫林，韓國東友精細化工等

中國江陰江化微、蘇州晶瑞、江陰潤瑪、浙江巨化、上海新陽等

92. CMP 拋光材料：拋光液、拋光墊、修整盤

CMP 化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing) 是在一定壓力及拋光液下，被拋光工件相對于拋光墊做相對運動，借助于納米粒子的研磨作用與氧化劑的腐蝕作用之間的有機結合，在被研磨的工件表面形成光潔表面，應用在單晶硅片拋光及介質層拋光中，材料包括拋光液、拋光墊和修整盤等

全球 20 億美元，中國 28 億元

拋光液主要是為拋光對象提供研磨及腐蝕溶解，一般由超細固體粒子研磨劑(如納米級 SiO 2  、Al 2 O 3 粒子等)、表面活性劑、穩定劑、氧化劑等組成，技術壁壘在于調整拋光液組成以改善拋光效果

全球美國卡博特Cabot、普萊克斯、杜邦、Rodel、Eka、德國世泰科、日本 Fujimi、Hinomoto、韓國 ACE、臺灣漢民等，中國安集微電子、上海新安納電子、北京國瑞升科技等

拋光墊傳輸拋光液，傳導壓力和打磨發生化學反應的材料表面，材料通常為聚氨酯或聚酯中加入飽和的聚氨酯，技術壁壘在于溝槽設計及提高壽命改良

全球陶氏化學、嘉柏微電子、3M、卡博特、日本東麗、臺灣三方化學等，中國成都時代立夫、湖北鼎龍、寧波江豐電子、蘇州觀勝半導體、深圳嵩洋微電子等

CMP 修整盤將金剛石顆粒鑲嵌在金屬胎體上，在拋光過程中對拋光墊進行修正，以保證拋光工藝的穩定性和重復性，全球美國3M、韓國Saesol、中國臺灣中砂等

93. 靶材：金屬、合金、化合物

靶材是濺射工藝中原材料，濺射利用離子源產生的離子轟擊固體表面，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體稱為濺射靶材

按照成分不同可分為金屬靶極(純金屬鋁、鈦、銅、鉭等)、合金靶極(鎳鉻合金、鎳鈷合金等)和陶瓷化合物靶極(氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等)

靶材制備工藝主要包含熔煉鑄造法、粉末燒結法兩大技術路徑

市場規模全球 130 億美元，中國 280 億元

全球日本日礦金屬、東曹、住友化學、愛發科、美國霍尼韋爾、普萊克斯等

中國寧波江豐、北京有研、福建阿石創、河南隆華節能等

二十六、封裝材料

94. 分類：基板、框架、焊線、樹脂、陶瓷等

封裝材料是指在晶圓上形成有引出管腳和鈍化保護殼的獨立芯片過程中用到的各類材料和工具，主要包含基板、引線框架、鍵合絲、陶瓷封裝材料、封裝樹脂、粘晶材料等

市場規模全球 200 億美元，基板占比最大

95. 基板：無機、有機、復合

封裝基板作為芯片封裝核心材料，一方面能夠保護、固定、支撐芯片，增強芯片導熱散熱性能，保證芯片不受物理損壞，另一方面封裝基板的上層與芯片相連，下層和印刷電路板相連，以實現電氣和物理連接、功率分配、信號分配，以及溝通芯片內部與外部電路等功能

隨著封裝技術向多引腳、窄間距、小型化的趨勢發展，封裝基板逐漸取代傳統引線框架成為主流封裝材料

全球市場規模 100 億美元，中國 100 億元

材料分類：無機基板、有機基板、復合基板三大類

無機基板由各種無機陶瓷制成，耐熱性好、布線較易且尺寸穩定，但成本高、材料毒性，逐漸被有機基板和復合基板取代，主要應用于對可靠性要求較高的領域，如軍工產業

有機基板由有機樹脂、環氧樹脂等有機材料制成，介電常數較低且易加工，適用于導熱性要求不高的高頻信號傳輸，可分為剛性和柔性兩種，剛性應用于基帶芯片、應用處理器芯片、功率放人器芯片、數字模塊芯片等領域，柔性應用于晶體管液晶顯示器芯片等領域

復合基板則是根據不同需求的特性來復合不同有機、無機材料

與 PCB 工藝類似但技術難度更高，封裝基板工藝分為減成法、加成法、半加成法等三大類

加成法以化學鍍銅的方法在膠板上鍍出銅線路圖形，形成以化學鍍銅層為線路的印制板，主要用于制造廉價的雙面板

半加成法采用覆銅板制作印制線路板，讓通孔中形成銅連接層，將雙層或多層板之間的線路連接起來

減成法在覆銅板上印制圖形后，將圖形部分保護起來，再將印有抗蝕膜的多余銅層腐蝕掉，以減掉銅層的方法形成印制線路

全球中國臺灣、韓國、日本三地占據 90% 份額，全球前十大封裝基板廠商占據 80%

中國大陸深南電路、珠海越亞、興森科技、丹邦科技等

96. 封裝材料：引線框架、鍵合絲、陶瓷封裝、芯片粘結材料等

引線框架是一種借助于鍵合絲實現芯片內部電路引出端與外部電路（PCB）的電氣連接，形成電氣回路的關鍵結構件，類型有 TO、DIP、SIP、SOP、SSOP、QFP、QFN、SOD、SOT 等，主要用模具沖壓法和蝕刻法進行生產，國內康強電子等

鍵合絲是用來焊接連接芯片與支架，承擔著芯片與外界之間關鍵的電連接功能，根據應用領域以及需求的不同，可以選擇金、銀、銅、鋁各種不同的金屬復合絲，全球市場規模 35 億美元，中國 45 億元，全球日本賀利氏、田中貴金屬、新日鐵等，中國康強電子等

陶瓷封裝材料用于承載電子元器件的機械支撐、環境密封和散熱等功能，耐濕性好，良好的線膨脹率和熱導率，在電熱機械等方面性能極其穩定，但是加工成本高，具有較高的脆性，技術路線 BeO→Al2O3→AIN，全球市場規模 25 億美元，中國 35 億元，全球日本京瓷、住友化學、NTK 公司等，中國三環集團等

芯片粘結材料是采用粘結技術實現管芯與底座或封裝基板連接的材料，在物理

化學性能上要滿足機械強度高、化學性能穩定、導電導熱、低固化溫度和可操

作性強的要求，包括銀漿粘接技術、低熔點玻璃粘接技術、導電膠粘接技術、環氧樹脂粘接技術、共晶焊技術，環氧樹脂是應用比較廣泛的粘結材料，全球市場規模 8 億美元，中國 25 億元，飛凱材料、聯瑞新材、宏昌電子等

二十七、產業化

97. 全球：美日歐主導，龍頭各不相同

從行業競爭格局看，全球半導體材料產業依然由日、美、臺、韓、德等國家占據絕對主導，國產半導體材料的銷售規模占全球比重不到 5%

半導體材料行業細分領域眾多，技術上存在較大差異，因此各個子行業龍頭各不相同

美國科銳 Cree：化合物材料龍頭

美國科銳 Cree 成立于1987年，1993年上市，2018 年以 3.5 億歐元收購英飛凌 RF 部門，全球 GaN on SiC龍頭，全球最大的 GaN 射頻器件供應商，2018 年營收 14.9 億美元

日本 JSR 合成橡膠：光刻膠龍頭

1957年成立，1977 年進入半導體光刻膠業務，2017 年與比利時 IMEC 微電子研究所成立 EUV RMQC 光刻膠制備和認證中心

美國空氣化工 Air Products：電子特氣龍頭

美國空氣化工核心業務是工業氣體以及相關設備，1987 年進入中國在深圳蛇口設立氣體工廠，是西方氣體公司在中國成立的第一家合資企業

德國巴斯夫 BASF：化學品龍頭

1865 年成立，是全球最大的化工公司，也是全球主要的半導體材料制造商之一，半導體材料產品主要包括拋光材料、超凈高純試劑、電鍍液等

美國卡博特 Cabot：拋光材料龍頭

卡博特微電子 Cabot Microelectronics 是全球第一大拋光液和第二大拋光墊供應商，2004 年與中國藍星(集團)公司成立了氣相金屬氧化物合資企業

日本日礦金屬：靶材龍頭

日本揖斐電：封裝基板龍頭

日本揖斐電（IBIDEN）創立于 1912 年，電子板塊主要從事印刷電路板（PCB）、封裝襯底、PCB 設計，在 IC 封裝基板方面，CavityBGA、FCPGA 封裝基板占全球 40%的份額

98. 中國大陸：三大梯隊

根據我國半導體材料細分產品競爭力，分為三大梯隊：

第一梯隊：靶材、封裝基板、CMP 拋光材料、濕電子化學品，引線框等部分封裝材料，部分產品技術標準達到全球一流水平，本土產線已實現中大批量供貨

第二梯隊：電子氣體、硅片、化合物半導體、掩模版，個別產品技術標準達到全球一流水平，本土產線已小批量供貨或具備較大戰略意義

第三梯隊：光刻膠，技術和全球一流水平存在較大差距，目前基本未實現批量供貨

晶圓材料：群雄混戰，龍頭未顯

北京科華：光刻膠龍頭

北京科華成立于 2004 年 8 月，I 線365nm光刻膠產能 500 噸/年、KrF 248nm 光刻膠產能10 噸/年，ArF 193nm 干法光刻膠中試產品完成測試，EUV 13.5nm 光刻膠完成關鍵材料設計、制備和合成工藝研究、配方組成和制備，與國際先進水平只差一代

華特股份：電子特氣龍頭

1999 年成立于廣東省佛山市南海區里水鎮，主營工業氣體生產，以氟碳類氣體見長，2017 年 Ar/F/Ne、Kr/Ne、Ar/Ne 和 Kr/F/Ne 等 4 種混合氣通過全球最大的光刻機 ASML 產品認證，中國第一，全球前四，2019年登陸科創板

江華微：化學品龍頭

目前國內生產規模最大、品種最齊全、配套性最強的超高純濕電子化學品專業集成服務提供商，建有年產 8 萬噸的超高純濕電子化學品生產基地，硝酸、氫氟酸、氨水等細分產品達到 G4、G5 行業水平

安集微電子：CMP 拋光材料龍頭

安集微電子2006年成立于上海，2019年科創板上市，主要產品為化學機械拋光液、清洗液、光阻去除液、拋光墊等，拋光液覆蓋 130nm~28nm，進入 16-10nm 產品研發階段

江豐電子：靶材龍頭

江豐電子主營高純濺射靶材的研發、生產和銷售，主要有四種：鋁、鈦、鉭、鎢鈦靶，應用于半導體、平面顯示以及太陽能等，在14/16  納米技術節點實現批量供貨，完成國家 02 重大專項(300mm 硅片工藝用Al、Ti、Ta 靶材制造技術研發與產業化)項目驗收

深南電路：基板龍頭

PCB 、封裝基板、電子裝聯三大業務，硅麥克風微機電系統封裝基板全球市場占有率超過 30%，公司已授權專利 223 項，人才數量達1194 人

最后一張圖總結

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