隨著新能源產業蓬勃發展，第三代半導體因其高功率材料特性獲得業界青睞。作為新能源汽車、新能源發電等電力電子系統中的核心部件，SiC MOSFET的應用領域日益廣泛；以碳化硅為核心的800V強電系統將在主驅逆變器、電機驅動系統、DC-DC到OBC及充電樁等領域迎來規模化發展。

如何對這些核心功率模塊進行精準、可靠的測試和篩選變得至為關鍵。

8月29-31日，功率半導體測試創新領導者——忱芯科技攜全套測試解決方案參展PCIM Asia。展會現場展出了Edsion動態特性測試系統和動態可靠性測試系統，并進行實機DEMO測試。

PCIM Asia 展會現場

實機DEMO測試吸引訪客問詢

Edison & Maxwell 動靜態測試系統

助力精準、可靠、高性價比測試

針對功率半導體的車規級應用，忱芯科技研發了SiC / IGBT功率半導體器件動靜態測試系統，破解影響測試準確性和可靠性的技術難點，實現——

n超低回路雜感：先進疊層電容母排（小于10nH），可以進行比實際應用工況更嚴格的動態特性測試；

n高可靠，強保護： 經過應用驗證的高速、高頻、高可靠數字驅動電路（CMTI高達200V/μs）；同時配備高速固態保護開關，從響應到完全切斷電流時間<2μs；

n高效率：可實現對功率模塊內部所有開關器件的一鍵全自動化測試，無須更換測試母排和工裝及驅動電路板，助力高UPH；

n高精度：靜態測試系統通過理論分析與精準電磁建模最大限度地降低了測試線路寄生阻抗對靜態特性參數測試的影響，實現高效自動化測試的同時，有力保證測試精度。

推出至今，忱芯科技的SiC/IGBT功率半導體器件動靜態測試系統已實現穩定的量產運行，合作客戶覆蓋頭部功率半導體企業及新能源車廠。其中，三電平動靜態測試機裝機量行業領先。

動態測試系統·產線版& 靜態測試系統·產線版

新一代SiC MOSFET動態可靠性測試系統

讓完美的高頻方波電壓不再只停留在教科書上

SiC MOSFET功率器件需要在高電平與低電平之間頻繁切換，SiC/SiO2界面態電荷陷阱在器件開啟和關斷過程中俘獲和釋放載流子，使得SiC MOSFET閾值電壓發生漂移；SiC MOSFET漏源極長期承受高頻高壓應力，高dv/dt下芯片快速充電導致老化失效。硅基功率半導體器件施加靜態直流應力的傳統可靠性測試方法已經沒法滿足SiC MOSFET的可靠性測試要求，模擬實際應用開關運行條件的高溫動態高頻交流測試才能實現對SiC MOSFET可靠性的全面測試，包括驗證器件設計與工藝、老化測試，以及成品測試等。AQG324已經發布了車規級SiC MOSFET器件動態可靠性測試標準。

忱芯科技推出新一代SiC MOSFET動態可靠性測試系統，覆蓋SiC MOSFET單管功率器件和功率模塊的DHTGB/DHTRB/DH3TRB動態可靠性測試，已經交付多家SiC MOSFET企業使用。

寬禁帶半導體器件動態可靠性測試系統

該系統支持不同封裝類型的SiC MOSFET功率器件動態可靠性測試，可滿足客戶高精度、大容量等測試需求。設備主要亮點有：

n高dV/dt, DHTGB 柵極應力發生器dV/dt>1V/ns, DHTRB漏極應力發生器dV/dt>50V/ns

n開關頻率高，單管功率器件開關頻率高達500kHz, 功率模塊開關頻率高達100kHz

n一機多用，覆蓋單管功率器件與功率模塊，既能進行動態可靠性測試，又能做進行傳統的靜態可靠性測試

n可靠性高，高頻應力發生器保護功能強，各器件測試相互獨立互不干擾，任意器件出現損害不影響其他器件測試

n支持波形監測，每個試驗區均預留示波器接口，可隨時監控波形

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