蓋世汽車訊 為了實現人工智能系統和自動駕駛系統，處理器必須能夠處理更多的數據。然而，基于硅的邏輯器件的局限性在于，由于小型化和集成化工藝不斷發展，處理成本和功耗也不斷增加。

為了克服上述問題，研究人員正在研究基于原子層級薄二維半導體的電子和邏輯器件。然而，與傳統的硅基半導體器件相比，通過摻雜二維半導體控制電氣特性更加困難。因此，用二維半導體實現邏輯器件在技術上非常具有挑戰。

圖片來源：KIST

韓國科學技術研究院（Korea Institute of Science and Technology，KIST）院長Seok-jin Yoon宣布一聯合研究小組實現了基于二維半導體的電子和邏輯器件，其電化學特性可以通過新的超薄電極材料（Cl-SnSe2）進行控制。該研究小組由KIST光電材料與器件中心的Do Kyung Hwang博士和國立群山大學（Kunsan National University）物理系的Kimoon Lee教授領導。

圖片來源：KIST

由于費米能級（Fermi-level）釘扎現象，傳統的二維半導體器件僅表現出N型或P型器件的特性，因此很難實現互補邏輯電路。相比之下，新的電極材料可以通過最大限度地減少與半導體界面的缺陷來自由控制N型和P型器件的特性。換言之，單個器件可同時執行N型和P型器件的功能。因此，無需分別制造N型和P型器件。通過使用該器件，聯合研究團隊成功實現了一種高性能、低功耗、互補的邏輯電路，可以進行NOR、NAND等邏輯運算。

Hwang博士表示：“這一發展將有助于加速下一代系統技術的商業化，例如人工智能系統。由于傳統硅半導體器件的小型化和高集成度帶來的技術限制，這些技術一直難以在實際應用中使用。新開發的二維電極材料非常薄，因此具有高透光率和柔韌性，可用于下一代柔性透明半導體器件。”

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