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被智己標注錯的SiC平臺有何優勢 小米汽車:價格貴、性能高

快科技

快科技4月9日消息,小米汽車今日晚間發布了“小米SU7答網友問(第十二集)”。

而日前,智己汽車在智己L6發布會上,誤將小米SU7的前后雙碳化硅電機,稱作前IGBT+后SiC電機,引起網友熱議。

在此,小米汽車也向網友解釋了全系全域SiC碳化硅高壓平臺是什么意思,有什么優勢?

小米汽車介紹,IGBT/SiC是指代電驅控制器中的功率模塊,是由一到多組功率芯片并聯組成的開關器件。

有以Si為材料的IGBT類型芯片,有以SiC為材料的MOSFET類型芯片(對,IGBT是半導體類型,SiC是指芯片材料)。

功率模塊負責電機驅動時將直流電轉為交流電,能量回收時將交流電轉換為直流電,所以它的效率對電動車至關重要。

SiC MOSFET相比Si IGBT開關損耗小,效率更高,因為SiC的制造工藝難度高、生產周期長,得片率、良品率低,致使SiC的價格是Si的2~5倍。

全系全域SiC碳化硅高壓平臺,指的是小米SU7高低配不僅在驅動電機上都使用了SiC碳化硅功率模塊。

車載充電機(OBC)及熱管理系統的空調壓縮機這兩個對能效要求極高的關鍵部件,同樣都包含了碳化硅材料,以便實現更好的能效表現,全域碳化硅是小米SU7實現極致的整車低能耗的技術手段之一。

被智己汽車標注錯的SiC高壓平臺有何優勢 小米汽車:價格貴、性能高

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責任編輯:若風

來源:第一電動網

作者:快科技

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