據報道，德州儀器正加速將氮化鎵（GaN）生產工藝從6英寸向8英寸過渡，以提高產能、獲得成本優勢。

德州儀器韓國總監Ju-Yong Shin表示，公司目前采用6英寸工藝生產氮化鎵半導體，美國達拉斯工廠有望在2025年之前過渡到8英寸工藝，日本的會津工廠則正在將硅基8英寸生產線轉換為GaN產線。

目前GaN 應用主要以外延為主，硅基襯底成本低，GaN-on-Si生長速度較快，較容易擴展到8英寸晶圓。隨著尺寸增大，單位GaN半導體器件的成為將隨之降低，因而國內、外廠商均在積極推進建設8英寸GaN晶圓項目。

圖片來源：Mobileye 

相比第二代半導體化合物，GaN擁有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率和電子飽和速率及更優的抗輻照能力，可用于高功率、高速的光電元件中，是生產微電子器件、光電子器件的新型材料。

不僅如此，其是能同時實現高頻、高效、大功率代表性材料，廣泛應用在 5G 基站、特高壓、新能源充電樁、城際高鐵等主要領域。

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以新能源汽車領域為例，GaN功率半導體主要應用于動力總成系統，包括車載充電器OBC、DC-DC/DC-AC及BMS電池管理系統。引入GaN D類放大器的音頻系統能在不需要犧牲聲音質量的前提下，以更小更輕的設計提供更多的功率和更多的通道，滿足消費者市場對出色音質的追求。

使用GaN晶體管還可實現更小、更高效和更低成本的電源系統。 對汽車行業而言，應用GaN意味著可以使用更小、更輕的電池，擁有更優的充電性能以及更久的車輛續航時間。 此外，GaN也提高了車輛自主和無線電源應用的能力。

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