目前很多模塊封裝機構仍沿用Si 基模塊的封裝結構和工藝，難以實現SiC MOSFET的優越性能，封裝技術已成為阻礙SiC功率模塊在電控上應用的一個主要瓶頸。什么是先進的SiC功率模塊封裝，如何提高封裝的散熱效能、可靠性及降低雜散電感參數，以及如何優化封裝成本，這些都是行業最為關切的問題。

為此，中國汽車工程學會將在8月8-9日在青島舉辦車規級SiC功率模塊封裝與應用技術論壇，邀請中國科學院電工所、上汽捷能、Yole Développement、緯湃科技、博格華納、法雷奧、博世、英飛凌、丹佛斯、中車時代半導體等單位的高層技術專家，分享最新的SiC功率模塊封裝及應用技術趨勢與創新技術：

• 應用SiC模塊的電控系統開發及發展戰略

• 全球SiC模塊關鍵封裝技術刨析及趨勢

• SiC模塊封裝設計方法

• AMB復合基板，銀/銅燒結，銅引線/銅板鍵合，高溫樹脂塑封技術分析

• 以基板取代引線鍵合的新一代功率模塊

• 英飛凌新一代SiC主驅逆變器解決方案：SiC的創新點及創新的封裝形式等

• 雜散電感2.8 nH，芯片之間最大溫差為10k的車規級SiC功率模塊封裝技術

• SiC模塊密度提升帶來的散熱與可靠性問題解決方案

• SiC逆變器應用效率提升技術

• 車載GaN和SiC集成功率模塊的第四代充電機技術

演講之后還將組織一場高層互動論壇，探討什么是夢想中的車規級SiC功率模塊封裝技術。

這將是汽車行業內首次聚焦電驅動系統SiC功率模塊封裝技術，且由半導體、模塊、電驅動系統、整車產業鏈上下游及科研機構共同研討的論壇，部分嘉賓及演講內容如下：

整個論壇具體日程安排如下：

車規級SiC功率模塊動態性能參數應該達到多少，散熱傳熱效能優化到什么程度，可靠性循環測試如何轉換為車企認可的循環壽命，怎么做到應用端要求的低成本，這些問題都處于模糊狀態。究其原因，就是整車企業應用SiC功率模塊，本身就是摸著石頭過河，且各自為戰；車企閉門造車，半導體企業閉門造模塊，在可靠性等指標上難以建立整車與模塊的直接聯系。

什么才是車規級SiC功率模塊，整個行業需要達成一個共識，才能在接下來的創新中摸索出符合實際應用要求的技術路線。

針對以上問題，論壇將特別設置高層互動環節，擬邀請一汽集團，上汽捷能，博格華納，英飛凌，丹佛斯，中車時代半導體的技術高層就打造車企夢想的SiC功率模塊展開討論，這也將是汽車行業首次專門針對SiC功率模塊封裝相關敏感話題展開交流互動。

同期還將舉行第十四屆國際汽車變速器及驅動技術研討會，具體安排如下：

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