全球最大的功率半導(dǎo)體年度盛會(huì),PCIM Europe 2023,已于5月9日至11日在德國(guó)紐倫堡舉辦。經(jīng)觀察,本年度盛會(huì)與中國(guó)、汽車相關(guān)的展商增多,尤其是采用了碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等新一代材料的產(chǎn)品。
據(jù)官方統(tǒng)計(jì),2023年P(guān)CIM參展商數(shù)量達(dá)到507家,恢復(fù)到新冠前的水平。展覽面積約3萬(wàn)㎡,是1979年以來(lái)最大規(guī)模的一屆。展示范圍從半導(dǎo)體、元器件、驅(qū)動(dòng)控制、電源管理、封裝技術(shù)到終端系統(tǒng),涵蓋整個(gè)生態(tài)鏈。
“汽車色彩”越來(lái)越重
近年來(lái),由于電動(dòng)汽車(EV)市場(chǎng)的快速增長(zhǎng),PCIM的車載功率器件展品數(shù)量有所增 加。 這一次,可以毫不夸張地說(shuō),汽車應(yīng)用發(fā)揮了主導(dǎo)作用。
博世、大眾等汽車行業(yè)的大公司也參展,PCIM中的“汽車色彩”正在增加。
博世展出了全面的電動(dòng)汽車解決方案,從功率器件到eAxle等完整系統(tǒng)解決方案,如750V和1200V 的SiC功率器件、SiC B6功率模塊、適用于400 V 和 800 V的第四代逆變器等。該公司不僅將把旗下功率半導(dǎo)體產(chǎn)品用于自家的逆變器,還將對(duì)外銷售給其他公司。
大眾展出的主要目的是獲取人才。大眾汽車集團(tuán)零部件電驅(qū)動(dòng)和變速器技術(shù)開(kāi)發(fā)主管Alexander Krick稱,"我們的目標(biāo)是設(shè)計(jì)一流的電動(dòng)傳動(dòng)系統(tǒng)。逆變器和軟件是這方面的關(guān)鍵組件。”
三菱電機(jī)發(fā)布了新車載功率模塊,特點(diǎn)是體積小,作為基本單元可并聯(lián)連接以根據(jù)EV車型增加載流能力。因此,單個(gè)產(chǎn)品可用于多個(gè)EV車型。雖然該產(chǎn)品只是在概念階段,但三菱電機(jī)計(jì)劃采用Si的RC-IGBT或SiC MOSFET制成成品。
SiC功率器件在汽車產(chǎn)品中脫穎而出。SiC定位為下一代功率半導(dǎo)體材料,可以實(shí)現(xiàn)比Si損耗更低的功率器件。通過(guò)采用SiC功率器件,xEV的逆變器將更小更輕,并可提高效率來(lái)延長(zhǎng)續(xù)航里程。在相同的續(xù)航里程下,可以降低電池的容量,因此可以相應(yīng)地降低成本。
盡管SiC本身比Si更昂貴,但由于這些優(yōu)勢(shì),其在EV中的使用正在逐漸擴(kuò)大。在功率半導(dǎo)體行業(yè),預(yù)計(jì)2025年后SiC的采用將迅速擴(kuò)大,幾家大公司正在繼續(xù)投資擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。
PCIM清晰地再現(xiàn)各大半導(dǎo)體企業(yè)對(duì)SiC的重視。
意法半導(dǎo)體擁有大量車用SiC功率器件,該公司強(qiáng)調(diào),堅(jiān)持IDM的策略,盡可能多地掌握包括碳化硅襯底、前工序晶圓制造、后工序封測(cè)和定制SiC功率模塊在內(nèi)的整個(gè)制造鏈。目標(biāo)是首先將晶圓材料的內(nèi)部生產(chǎn)率提高到40%,并將加強(qiáng)其垂直整合系統(tǒng),以滿足對(duì)SiC功率器件的強(qiáng)勁需求。
2022年10月,意法半導(dǎo)體表示將在意大利建造一座價(jià)值7.3億歐元,年產(chǎn)超過(guò)37萬(wàn)片的襯底項(xiàng)目,借此實(shí)現(xiàn)40%碳化硅襯底的自主供應(yīng)。
安森美在展臺(tái)上展出了搭載SiC功率器件的賽車EV。該公司在PCIM期間推出最新一代1200V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件,助力電力電子工程師實(shí)現(xiàn)更出色的能效和更低系統(tǒng)成本。全新產(chǎn)品系列包括有助于提高開(kāi)關(guān)速度的EliteSiC MOSFET和模塊,以適配越來(lái)越多的800V電動(dòng)汽車的車載充電器(OBC)和電動(dòng)汽車直流快充、太陽(yáng)能方案以及能源儲(chǔ)存等能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用。
羅姆推出了其首個(gè)碳化硅功率模塊。該公司此前一直為汽車應(yīng)用提供SiC功率器件,以分立產(chǎn)品見(jiàn)長(zhǎng),如今補(bǔ)齊模塊產(chǎn)品。
羅姆稱,新型模制SiC功率模塊通過(guò)“HSDIP20”和“DOT247”擴(kuò)大了其封裝組合,內(nèi)置最新的第4代SiC MOSFET。備有不同RDS(on)的750V和1200V器件。“HSDIP”具有H橋(4in1)和三相全橋(6in1)配置,內(nèi)置隔離功能,確保了應(yīng)用的緊湊性。DOT247是一種獨(dú)特的半橋(2in1)配置封裝,在功率循環(huán)應(yīng)力下具有更強(qiáng)大的性能。根據(jù)各自的條件,兩者都可以實(shí)現(xiàn)高達(dá)30kW的功率應(yīng)用。
車用GaN功率器件也陸續(xù)展出
在PCIM上,GaN on Si器件提案層出不窮,主要針對(duì)三個(gè)應(yīng)?領(lǐng)域:AC電源和服務(wù)器電源和?載充電器。?前主戰(zhàn)場(chǎng)是AC電源,然?,制造商預(yù)計(jì)未來(lái)?載充電器將?幅增?。
例如,美國(guó)GaN Systems(GaN Systems)宣布其GaN on Si器件將?于美國(guó)電動(dòng)汽?初創(chuàng)公司Canoo量產(chǎn)電動(dòng)汽?的?載充電器。
英諾賽科帶來(lái)了GaN晶圓和高中低壓30V-700V GaN芯片等多系列產(chǎn)品,并重點(diǎn)展示了面向消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、汽車等不同應(yīng)用領(lǐng)域的客戶案例及全鏈路氮化鎵解決方案。
注:部分內(nèi)容引自日經(jīng)xtech、各企業(yè)官網(wǎng)
來(lái)源:第一電動(dòng)網(wǎng)
作者:NE時(shí)代
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