汽車事件數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)（EDR）市場的不斷發(fā)展正在推動專用數(shù)據(jù)記錄存儲設備的需求，這些設備能夠即時捕獲關鍵數(shù)據(jù)并可靠地存儲數(shù)據(jù)長達數(shù)十年。近日，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步擴展其EXCELON? F-RAM存儲器產(chǎn)品，推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲密度的新型F-RAM存儲器。全新1Mbit EXCELON? F-RAM是業(yè)內(nèi)首款車規(guī)級串行F-RAM存儲器。

這兩款新品已通過AEC-Q100 1級認證，支持更寬泛的溫度范圍（-40°C 至+125°C ），補充了存儲密度從4Kbit到16Mbit不等的車規(guī)級F-RAM存儲器產(chǎn)品組合。它們均具有快速且高度可靠的讀/寫性能，在SPI模式和Quad SPI（QSPI）模式下的讀寫性能分別高達50 MHz和108 MHz。此外，這些存儲器具有10萬億次讀寫周期，能夠支持以10微秒間隔進行數(shù)據(jù)記錄長達20年。

英飛凌科技RAM解決方案副總裁Ramesh Chettuvetty表示：“隨著電子系統(tǒng)的廣泛應用，以及行業(yè)法規(guī)鼓勵在安全氣囊系統(tǒng)及發(fā)動機控制和電池管理系統(tǒng)中使用高可靠非易失性存儲器，汽車系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)記錄需求正在迅速增長。需要記錄數(shù)據(jù)的應用數(shù)量不斷增加，根據(jù)特定用例定制存儲密度的需求也隨之增長。英飛凌致力于幫助客戶靈活滿足各類系統(tǒng)設計對存儲器架構的要求。”

EXCELON F-RAM存儲器具有零延遲寫入功能，可以持續(xù)捕獲并記錄數(shù)據(jù)，直到事故或其他用戶定義的觸發(fā)事件發(fā)生前的最后一瞬間。這兩款新品采用串行（SPI/QSPI）接口，具備F-RAM存儲器的超低功耗特性，工作電壓范圍為1.8 V至3.6 V，并采用標準的8引腳SOIC封裝。半導體科技公司英飛凌的F-RAM存儲器除了具有出色的耐用性外，還可在斷電后保存數(shù)據(jù)超過100年。

供貨情況

英飛凌存儲密度為1Mbit (CY15B201QN-50SXE)和4Mbit (CY15B204QN-40SXE) 的EXCELON 車規(guī)級F-RAM存儲器件現(xiàn)已量產(chǎn)。了解更多信息，請訪問www.infineon.com/excelon。英飛凌還預計在今年年底前推出這兩款器件的Quad SPI接口版本。

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